Sfoglia per Autore  

Opzioni
Mostrati risultati da 1 a 20 di 229
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Lateral Current Crowding Effects on Contact Resistance Measurements in Four Terminal Resistor Test Patterns 1984 Finetti, M.; Scorzoni, Andrea; Soncini, G.
Contact Resistivity Measurements on n+ (and p+)Si/Pd(Ni, Ti and Ta) Silicide Structures 1984 Finetti, M.; Guerri, S.; Negrini, P.; Scorzoni, Andrea; Suni, I.
Leghe Metalliche Amorfe in Schemi di Metallizzazione per Dispositivi Elettronici al Silicio 1984 Celotti, G.; Finetti, M.; Guerri, S.; Nipoti, R.; Scorzoni, Andrea
Methods for Contact Resistance Measurements: Applications to (n+, p+)Si/Al-1%Si Ohmic Contacts 1984 Scorzoni, Andrea; Finetti, M.; Soncini, G.
A further comment on "Determining specific contact resistivity from contact end resistance measurements" 1985 Finetti, M.; Scorzoni, Andrea; Soncini, G.
Contact resistivity of silicon/silicide structures formed by thin film reactions 1985 Finetti, M.; Guerri, S.; Negrini, P.; Scorzoni, Andrea; Suni, I.
Ion Implanted TiN Films Acting as Diffusion Barriers on As+ Doped Silicon Shallow Junctions 1985 Armigliato, A.; Finetti, M.; Guerri, S.; Scorzoni, Andrea; Sabato, G.
Ion-implanted, electron-beam annealed TiN films as diffusion barriers for Al on Si shallow junctions 1985 Armigliato, A.; Finetti, M.; Garrido, J.; Guerri, S.; Ostoja, P.; Scorzoni, Andrea
Electrical Characterization of Ion Implanted, Thermally Annealed TiN Films Acting as Diffusion Barriers on Shallow Junction Silicon Devices 1985 Armigliato, A.; Finetti, M.; Gabilli, E.; Guerri, S.; Ostoja, P.; Sabato, G.; Scorzoni, Andrea
Increase in Barrier Height of Al/n-GaAs Contacts Induced by High Current 1986 Canali, C.; Umena, L.; Fantini, F.; Scorzoni, Andrea; Zanoni, E.
Electron microscopy observations of N2+ -implanted TiN films as diffusion barriers for very-large-scale integration applications 1986 Armigliato, A.; Finetti, M.; Guerri, S.; Ostoja, P.; Scorzoni, Andrea; Garrido, J.
Correlation Between Resistance Behaviour and Mass Transport in Al-Si/Ti Multilayer Interconnects 1986 Finetti, M.; Suni, I.; Scorzoni, Andrea; Soncini, G.
Ohmic Contact Resistivity and Resistance Evaluation 1986 Scorzoni, Andrea; Finetti, M.; Soncini, G.; Suni, I.; Cappelletti, P.
Evaluation of Current Density Distribution in Mesfet Gates 1986 Scorzoni, Andrea; Canali, C.; Fantini, F.; Zanoni, E.
Correlation between resistance behavior and mass transport in Al–Si/Ti multilayer interconnects 1987 Finetti, M.; Suni, I.; Armigliato, A.; Garulli, A.; Scorzoni, Andrea
Current crowding and misalignment effects as sources of error in contact resistivity measurements. Part I: Computer simulation of conventional CER and CKR structures 1987 Scorzoni, Andrea; Finetti, M.; Grahn, K.; Suni, I.; Cappelletti, P.
Current crowding and misalignment effects as sources of error in contact resistivity measurements. Part II: Experimental results and computer simulation of self-aligned test structures 1987 Cappelletti, P.; Finetti, M.; Scorzoni, Andrea; Suni, I.; Circelli, N.; Dalla Libera, G.
Degradation Mechanisms Induced by High Current Density in Al-gate GaAs MESFETs 1987 Canalii, C.; Fantini, F.; Scorzoni, Andrea; Umena, L.; Zanoni, E.
Electrical Properties of Silicided Contacts 1987 Finetti, M.; Scorzoni, Andrea; Suni, I.
Electrical and Structural Characterization of Electromigration in Al-Si/Ti Multilayer Interconnects 1987 Finetti, M.; Scorzoni, Andrea; Armigliato, A.; Garulli, A.; Suni, I.
Mostrati risultati da 1 a 20 di 229
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile