BENEGIAMO, MICHAEL
BENEGIAMO, MICHAEL
Dipartimento di Ingegneria
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| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| In-Circuit Self-Test (ICST) of Power MOS Transistors: Measuring Gate Charge as an Indicator of Oxide Stress and Device Reliability | 2024 | Behera, A. K.; Benegiamo, M.; Moriconi, L.; Orecchini, G.; Palazzi, V.; Alimenti, F. |