PIGNATEL, Giorgio Umberto

PIGNATEL, Giorgio Umberto  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRONICA E DELL'INFORMAZIONE (attivo dal 01/01/1999 al 31/12/2013)  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
"Device simulation of irradiated silicon detectors at cryogenic temperatures" 2004 Santocchia, Attilio; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto; Moscatelli, Francesco; Hall, G.; Macevoy, B.
A comprehensive analysis of irradiated silicon detectors at cryogenic temperatures 2003 Santocchia, Attilio; B., Macevoy; G., Hall; G. M., Bilei; Moscatelli, Francesco; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto
A Comprehensive Numerical Simulation of Heavily Irradiated p-type and n-type Silicon Detectors 2005 Petasecca, M.; Moscatelli, F.; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto; Scarpello, C.; Caprai, G.
Active pixel sensor architectures in standard CMOS technology for charge-particle detection 2002 Passeri, Daniele; Placidi, Pisana; Verducci, L.; Pignatel, Giorgio Umberto; Ciampolini, P.; Matrella, G.; Bilei, G. M.
Active Pixel Sensors Detectors in CMOS Technology 2003 Passeri, Daniele; Placidi, Pisana; Verducci, L.; Petasecca, M.; Pignatel, Giorgio Umberto; Ciampolini, P.; Matrella, G.; Marras, A.; Bilei, G. M.
An Enhanced Device Simulation of Heavily Irradiated Silicon Detectors at Cryogenic Temperatures 2003 Moscatelli, F.; Santocchia, Attilio; Mac Evoy, B.; Hall, G.; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto
Comprehensive device simulation modeling of heavily irradiated silicon detectors at cryogenic temperatures 2004 Moscatelli, F.; Santocchia, Attilio; Macevoy, B.; Hall, G.; Passeri, Daniele; Petasecca, M.; Pignatel, Giorgio Umberto
Defects Modeling of Heavily Irradiated Silicon Detectors 2002 Bilei, G. M.; Moscatelli, F.; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto; Santocchia, Attilio; Hall, G.; Macevoy, B.
Development of the first prototypes of Silicon PhotoMultiplier (SiPM) at ITC-irst 2007 N., Dinu; Battiston, Roberto; M., Boscardin; G., Collazuol; F., Corsi; G. F., DALLA BETTA; A., DEL GUERRA; G., Llosa; Ionica, Maria; G., Levi; S., Marcatili; C., Marzocca; C., Piemonte; Pignatel, Giorgio Umberto; A., Pozza; L., Quadrani; C., Sbarra; N., Zorzi
Device simulation of irradiated silicon detectors at cryogenic temperatures. 2004 Santocchia, Attilio; Macevoy, B; Hall, G; Moscatelli, Francesco; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto
Numerical analysis of thinned silicon detectors 2007 Petasecca, M.; Pignatel, Giorgio Umberto; Moscatelli, F.; Passeri, Daniele; Caprai, G.
Numerical simulation of radiation damage effects in p-type silicon detectors 2006 Petasecca, M.; Moscatelli, F.; Passeri, Daniele; Pignatel, Giorgio Umberto; Scarpello, C.
Progress on the development of a silicon–carbon nanotube photodetector 2013 Aramo, C.; Ambrosio, A.; Ambrosio, M.; Battiston, R.; Castrucci, P.; Cilmo, M.; De Crescenzi, M.; Fiandrini, Emanuele; Guarino, F.; Grossi, V.; Maddalena, P.; Nappi, E.; Passacantando, M.; Pignatel, Giorgio Umberto; Santucci, S.; Scarselli, M.; Tinti, A.; Valentini, A.
Recent progress of the RD50 Collaboration - Development of radiation tolerant tracking detectors 2013 Affolder, A.; Aleev, A.; Allport, P. P.; Andricek, L.; Artuso, M.; Barabash, L.; Barber, T.; Barcz, A.; Bartosik, M. R.; Baselga, M.; Bates, R.; Battaglia, M.; Benitez, V.; Bernardini, J.; Betancourt, C.; Bhardwaj, A.; Bilei, G. M.; Blue, A.; Bohm, J.; Bomben, M.; Borgia, A.; Borrello, L.; Bosma, M. J.; Bowcock, T. J. V.; Broz, J.; Bruzzi, M.; Brzozowski, A.; Buhmann, P.; Buttar, C.; Calderini, G.; Carna, M.; Cartiglia, N.; Casse, G.; Centis Vignali, M.; Charron, S.; Chauveau, J.; Chren, D.; Cihangir, S.; Cindro, V.; Collins, P.; Cortina Gil, E.; Creanza, D.; Crescioli, F.; Dalal, R.; De Boer, W.; De Palma, M.; Dervan, P.; Dierlamm, A.; Dobos, D.; Doherty, F.; Dolenc Kittelmann, I.; Dolezal, Z.; Dolgolenko, A.; Donegani, E.; Driewer, A.; Dutta, S.; Eber, R.; Eckstein, D.; Eichhorn, T.; Eklund, L.; Eremin, I.; Eremin, V.; Erfle, J.; Esteban, S.; Fadeeva, N.; Fadeyev, V.; Feigl, S.; Fernandez, M.; Fiori, F.; Flaschel, N.; Fleta, C.; Focardi, E.; Forshaw, D.; Fretwurst, E.; Bates, A. G.; Gabrysch, M.; Gallrapp, C.; Garcia, C.; Garutti, E.; Gaubas, E.; Genest, M. H.; Gibson, S.; Glaser, M.; Goessling, C.; Golovleva, M.; Golubev, A.; Gomez, G.; Gorelov, I.; Greco, V.; Grégoire, G.; Gregor, I.; Grigoriev, E.; Grillo, A. A.; Grinstein, S.; Groza, A.; Guskov, J.; Härkönen, J.; Hartjes, F. G.; Hartmann, F.; Hidalgo, S.; Hoeferkamp, M.; Horisberger, R.; Houdayer, A.; Hynds, D.; Ibanescu, A. G.; Ilyashenko, I.; Jaramillo, R.; Jelena, J.; Jentzsch, J.; Jindra, T.; Junkes, A.; Kalendra, V.; Kaminski, P.; Karpenko, A.; Kaska, K.; Kazuchits, N.; Kazukauskas, V.; Khivrich, V.; Kierstead, J.; Klanner, R.; Klingenberg, R.; Kodys, P.; Koffeman, E.; Kohout, Z.; Konoplyannikov, A.; Korolkov, I.; Kozlowski, R.; Kozubal, M.; Kramberger, G.; Kuehn, S.; Kwan, S.; La Rosa, A.; Lacasta, C.; Lange, J.; Lastovetsky, V.; Lazanu, I.; Lazanu, S.; Lebel, C.; Lefeuvre, G.; Lemaitre, V.; Leroy, C.; Li, Z.; Lindström, G.; Litovchenko, P.; Lopez, I.; Loukas, D.; Lozano, M.; Luczynski, Z.; Luukka, P.; Macchiolo, A.; Macraighne, A.; Mäenpää, T.; Makarenko, L. F.; Mandić, I.; Maneuski, D.; Manna, N.; Marchiori, G.; Marco, R.; Marti Garcia, S.; Marunko, S.; Masek, P.; Matysek, M.; Mcduff, H.; Mekys, A.; Messineo, A.; Mikestikova, M.; Mikuž, M.; Militaru, O.; Milovanovic, M.; Moll, M; Mori, R.; Moser, H. G.; Muenstermann, D.; Munoz Sanchez, F. J.; Naletko, A.; Neugebauer, H.; Nikitin, A.; Nisius, R.; Nistor, L. C.; Nistor, S. V.; Nürnberg, A.; Oblakowska Mucha, A.; Ortlepp, T. h.; Oshea, V.; Pacifico, N.; Parkes, C.; Parzefall, U.; Passeri, Daniele; Pawlowski, M.; Pellegrini, G.; Pernegger, H.; Petasecca, Marco; Pignatel, Giorgio Umberto; Pintilie, I.; Pintilie, L.; Piotrzkowski, K.; Plackett, R.; Poehlsen, J.; Poehlsen, T. h.; Polivtsev, L.; Popule, J.; Pospisil, S.; Printz, M.; Quirion, D.; Radicci, V.; Radu, R.; Ranjan, K.; Richter, R.; Rodriguez, J.; Roeder, R.; Rogozhkin, S.; Rohe, T.; Rubinskiy, I.; Rummler, A.; Ruzin, A.; Sadrozinski, H. F. W.; Scaringella, M.; Schumm, B.; Seidel, S.; Seiden, A.; Shivpuri, R. K.; Sicho, P.; Singh, S.; Slavicek, T.; Solar, M.; Soldevila Serrano, U.; Sopko, V.; Sopko, B.; Spencer, N.; Spiegel, L.; Steinbrueck, G.; Stewart, G.; Storasta, J.; Surma, B.; Szumlak, T.; Tackmann, K.; Tan, P.; Terzo, S.; Timo, T.; Tomasek, M.; Toms, K.; Tsiskaridze, S.; Tuboltsev, Y. u.; Tuominen, E.; Tuovinen, E.; Tuuva, T.; Tylchin, M.; Uebersee, H.; Ullán, M.; Vaitkus, J. V.; Van Beuzekom, M.; Verbitskaya, E.; Vila Alvarez, I.; Visser, J.; Vossebeld, J.; Vrba, V.; Wang, R.; Weigell, P.; Wiik, L.; Wilhelm, I.; Wittig, T.; Wonsak, S.; Wunstorf, R.; Wysokinski, M.; Yildirim, E.; Zaluzhnyy, A.; Zavrtanik, M.; Zelazko, J.; Zhou, Z.; Zontar, D.
Thermal and Electrical Characterization of Silicon Photomultiplier 2008 M., Petasecca; B., Alpat; G., Ambrosi; P., Azzarello; Battiston, Roberto; Ionica, Maria; A., Papi; Pignatel, Giorgio Umberto; S., Haino
Thermal Characterization of a sensor microheater through an effective temperature coefficient of resistance 2003 Scorzoni, Andrea; Baroncini, M.; Placidi, Pisana; Cardinali, G. C.; Pignatel, Giorgio Umberto
Time resolving characteristics of HPK and FBK silicon photomultipliers for TOF and PET applications 2010 Ambrosi, Giovanni; Azzarello, P.; Battiston, Roberto; Di Lorenzo, G.; Ionica, Maria; Pignatel, Giorgio Umberto; Piemonte, C.; Dalla Betta, G. F.; Del Guerra, A.