Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS - Res&Arch Institutional Research Information System - Research &Archive
A neutral structure in the DD¯∗ system around the DD¯∗ mass threshold is observed with a statistical significance greater than 10σ in the processes e+e-→D+D∗-π0+c.c. and e+e-→D0D¯∗0π0+c.c. at s=4.226 and 4.257 GeV in the BESIII experiment. The structure is denoted as Zc(3885)0. Assuming the presence of a resonance, its pole mass and width are determined to be [3885.7-5.7+4.3(stat)±8.4(syst)] MeV/c2 and [35-12+11(stat)±15(syst)] MeV, respectively. The Born cross sections are measured to be σ[e+e-→Zc(3885)0π0,Zc(3885)0→DD¯∗]=[77±13(stat)±17(syst)] pb at 4.226 GeV and [47±9(stat)±10(syst)] pb at 4.257 GeV. The ratio of decay rates B[Zc(3885)0→D+D∗-+c.c.]/B[Zc(3885)0→D0D¯∗0+c.c.] is determined to be 0.96±0.18(stat)±0.12(syst), consistent with no isospin violation in the process, Zc(3885)0→DD¯∗.
Observation of a Neutral Structure near the D D ¯ ∗ Mass Threshold in e+e- → (D D ¯ ∗)0π0 at s =4.226 and 4.257 GeV
Ablikim M.;Achasov M. N.;Ai X. C.;Albayrak O.;Albrecht M.;Ambrose D. J.;Amoroso A.;An F. F.;An Q.;Bai J. Z.;Ferroli R. B.;Ban Y.;Bennett D. W.;Bennett J. V.;Bertani M.;Bettoni D.;Bian J. M.;Bianchi F.;Boger E.;Boyko I.;Briere R. A.;Cai H.;Cai X.;Cakir O.;Calcaterra A.;Cao G. F.;Cetin S. A.;Chang J. F.;Chelkov G.;Chen G.;Chen H. S.;Chen H. Y.;Chen J. C.;Chen M. L.;Chen S. C.;Chen S. J.;Chen X.;Chen X. R.;Chen Y. B.;Cheng H. P.;Chu X. K.;Cibinetto G.;Dai H. L.;Dai J. P.;Dbeyssi A.;Dedovich D.;Deng Z. Y.;Denig A.;Denysenko I.;Destefanis M.;De Mori F.;Ding Y.;Dong C.;Dong J.;Dong L. Y.;Dong M. Y.;Du S. X.;Duan P. F.;Fan J. Z.;Fang J.;Fang S. S.;Fang X.;Fang Y.;Fava L.;Feldbauer F.;Felici G.;Feng C. Q.;Fioravanti E.;Fritsch M.;Fu C. D.;Gao Q.;Gao X. L.;Gao X. Y.;Gao Y.;Gao Z.;Garzia I.;Goetzen K.;Gong W. X.;Gradl W.;Greco M.;Gu M. H.;Gu Y. T.;Guan Y. H.;Guo A. Q.;Guo L. B.;Guo R. P.;Guo Y.;Guo Y. P.;Haddadi Z.;Hafner A.;Han S.;Hao X. Q.;Harris F. A.;He K. L.;He X. Q.;Held T.;Heng Y. K.;Hou Z. L.;Hu C.;Hu H. M.;Hu J. F.;Hu T.;Hu Y.;Huang G. M.;Huang G. S.;Huang J. S.;Huang X. T.;Huang Y.;Hussain T.;Ji Q.;Ji Q. P.;Ji X. B.;Ji X. L.;Jiang L. W.;Jiang X. S.;Jiang X. Y.;Jiao J. B.;Jiao Z.;Jin D. P.;Jin S.;Johansson T.;Julin A.;Kalantar-Nayestanaki N.;Kang X. L.;Kang X. S.;Kavatsyuk M.;Ke B. C.;Kiese P.;Kliemt R.;Kloss B.;Kolcu O. B.;Kopf B.;Kornicer M.;Kuhn W.;Kupsc A.;Lange J. S.;Lara M.;Larin P.;Leng C.;Li C.;Li C.;Li D. M.;Li F.;Li F. Y.;Li G.;Li H. B.;Li H. J.;Li J. C.;Li J.;Li K.;Li K.;Li L.;Li P. R.;Li T.;Li W. D.;Li W. G.;Li X. L.;Li X. M.;Li X. N.;Li X. Q.;Li Z. B.;Liang H.;Liang J. J.;Liang Y. F.;Liang Y. T.;Liao G. R.;Lin D. X.;Liu B. J.;Liu C. X.;Liu D.;Liu F. H.;Liu F.;Liu F.;Liu H. B.;Liu H. H.;Liu H. H.;Liu H. M.;Liu J.;Liu J. B.;Liu J. P.;Liu J. Y.;Liu K.;Liu K. Y.;Liu L. D.;Liu P. L.;Liu Q.;Liu S. B.;Liu X.;Liu Y. B.;Liu Z. A.;Liu Z.;Loehner H.;Lou X. C.;Lu H. J.;Lu J. G.;Lu Y.;Lu Y. P.;Luo C. L.;Luo M. X.;Luo T.;Luo X. L.;Lyu X. R.;Ma F. C.;Ma H. L.;Ma L. L.;Ma M. M.;Ma Q. M.;Ma T.;Ma X. N.;Ma X. Y.;Maas F. E.;Maggiora M.;Mao Y. J.;Mao Z. P.;Marcello S.;Messchendorp J. G.;Min J.;Mitchell R. E.;Mo X. H.;Mo Y. J.;Morales C. M.;Moriya K.;Muchnoi N. Y.;Muramatsu H.;Nefedov Y.;Nerling F.;Nikolaev I. B.;Ning Z.;Nisar S.;Niu S. L.;Niu X. Y.;Olsen S. L.;Ouyang Q.;Pacetti S.;Pan Y.;Patteri P.;Pelizaeus M.;Peng H. P.;Peters K.;Pettersson J.;Ping J. L.;Ping R. G.;Poling R.;Prasad V.;Qi M.;Qian S.;Qiao C. F.;Qin L. Q.;Qin N.;Qin X. S.;Qin Z. H.;Qiu J. F.;Rashid K. H.;Redmer C. F.;Ripka M.;Rong G.;Rosner C.;Ruan X. D.;Sarantsev A.;Savrie M.;Schoenning K.;Schumann S.;Shan W.;Shao M.;Shen C. P.;Shen P. X.;Shen X. Y.;Sheng H. Y.;Shi M.;Song W. M.;Song X. Y.;Sosio S.;Spataro S.;Sun G. X.;Sun J. F.;Sun S. S.;Sun X. H.;Sun Y. J.;Sun Y. Z.;Sun Z. J.;Sun Z. T.;Tang C. J.;Tang X.;Tapan I.;Thorndike E. H.;Tiemens M.;Ullrich M.;Uman I.;Varner G. S.;Wang B.;Wang D.;Wang D. Y.;Wang K.;Wang L. L.;Wang L. S.;Wang M.;Wang P.;Wang P. L.;Wang S. G.;Wang W.;Wang W. P.;Wang X. F.;Wang Y. D.;Wang Y. F.;Wang Y. Q.;Wang Z.;Wang Z. G.;Wang Z. H.;Wang Z. Y.;Wang Z. Y.;Weber T.;Wei D. H.;Wei J. B.;Weidenkaff P.;Wen S. P.;Wiedner U.;Wolke M.;Wu L. H.;Wu L. J.;Wu Z.;Xia L.;Xia L. G.;Xia Y.;Xiao D.;Xiao H.;Xiao Z. J.;Xie Y. G.;Xiu Q. L.;Xu G. F.;Xu J. J.;Xu L.;Xu Q. J.;Xu X. P.;Yan L.;Yan W. B.;Yan W. C.;Yan Y. H.;Yang H. J.;Yang H. X.;Yang L.;Yang Y.;Yang Y. X.;Ye M.;Ye M. H.;Yin J. H.;Yu B. X.;Yu C. X.;Yu J. S.;Yuan C. Z.;Yuan W. L.;Yuan Y.;Yuncu A.;Zafar A. A.;Zallo A.;Zeng Y.;Zeng Z.;Zhang B. X.;Zhang B. Y.;Zhang C.;Zhang C. C.;Zhang D. H.;Zhang H. H.;Zhang H. Y.;Zhang J.;Zhang J. J.;Zhang J. L.;Zhang J. Q.;Zhang J. W.;Zhang J. Y.;Zhang J. Z.;Zhang K.;Zhang L.;Zhang X. Y.;Zhang Y.;Zhang Y. N.;Zhang Y. H.;Zhang Y. T.;Zhang Y.;Zhang Z. H.;Zhang Z. P.;Zhang Z. Y.;Zhao G.;Zhao J. W.;Zhao J. Y.;Zhao J. Z.;Zhao L.;Zhao L.;Zhao M. G.;Zhao Q.;Zhao Q. W.;Zhao S. J.;Zhao T. C.;Zhao Y. B.;Zhao Z. G.;Zhemchugov A.;Zheng B.;Zheng J. P.;Zheng W. J.;Zheng Y. H.;Zhong B.;Zhou L.;Zhou X.;Zhou X. K.;Zhou X. R.;Zhou X. Y.;Zhu K.;Zhu K. J.;Zhu S.;Zhu S. H.;Zhu X. L.;Zhu Y. C.;Zhu Y. S.;Zhu Z. A.;Zhuang J.;Zotti L.;Zou B. S.;Zou J. H.
2015
Abstract
A neutral structure in the DD¯∗ system around the DD¯∗ mass threshold is observed with a statistical significance greater than 10σ in the processes e+e-→D+D∗-π0+c.c. and e+e-→D0D¯∗0π0+c.c. at s=4.226 and 4.257 GeV in the BESIII experiment. The structure is denoted as Zc(3885)0. Assuming the presence of a resonance, its pole mass and width are determined to be [3885.7-5.7+4.3(stat)±8.4(syst)] MeV/c2 and [35-12+11(stat)±15(syst)] MeV, respectively. The Born cross sections are measured to be σ[e+e-→Zc(3885)0π0,Zc(3885)0→DD¯∗]=[77±13(stat)±17(syst)] pb at 4.226 GeV and [47±9(stat)±10(syst)] pb at 4.257 GeV. The ratio of decay rates B[Zc(3885)0→D+D∗-+c.c.]/B[Zc(3885)0→D0D¯∗0+c.c.] is determined to be 0.96±0.18(stat)±0.12(syst), consistent with no isospin violation in the process, Zc(3885)0→DD¯∗.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11391/1462681
Citazioni
3
80
65
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.